第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲11月24日在2020国际第三代半导体论坛上透露,双循环模式推动国产化替代,2020年中国SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
其中,中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元,比去年的26.15亿元将增长29%;SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元,比去年的29.03亿元将增长21.77%。
(一财)
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